Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Тип транзистора N – каналом Р – каналом

Читайте также:
  1. Вольт-амперные характеристики транзистора с р-п-затвором
  2. Выходные характеристики полевого транзистора.
  3. Дифференциальные параметры транзистора с p–n–затвором
  4. Импульсный режим работы транзистора.
  5. Исследование усилительного каскада, собранного на полевом транзисторе с p-n затвором и каналом n-типа, собранного по схеме с общим истоком.
  6. Маркировка транзистора
  7. МДП-транзисторы с индуцированным каналом

 


С управляющим p-n-

переходом

 


 

МДП с индуцирован-

ным каналом

 


 

МДП со встроеным

каналом


 

Наиболее полно работа полевых транзисторов описывается семейством выходных статических вольт-амперных характеристик (рис. 3), которые для всех типов полевых транзисторов практически одинаковы.

 

 

а) б) в)

 

Рис.3. Статические ВАХ транзисторов; полевых с управляющим p-n переходом - (а), и МДП с индуцированным - (б), и встроенным - (в) - каналом.

 

Начнем с характеристики Ic=f(Uси) при Uзи =0 полевого транзистора с управляющим p-n переходом. При малых значениях Uси ток Ic увеличивается с ростом Uси почти по линейному закону. Затем наступает режим насыщения, при котором рост тока Ic с повышением напряжения практически прекращается. Это происходит потому, что с увеличением тока площадь поперечного сечения проводящего канала уменьшается и при достаточно больших значениях Ic наступает своеобразное динамическое равновесие – увеличение тока Ic вызывает сужение канала, которое приводит к уменьшению тока и наоборот. При достаточно большом напряжении Uси наблюдается резкий рост тока Ic, обусловленный электрическим пробоем p-n- перехода у стокового конца канала.

При Uзи <0 вид характеристики Ic=f(Uси) будет таким же, как и при Uзи =0, только из-за того, что превоначальная площадь поперечного сечения проводящего канала будет меньше, начальное значение тока I 4c 0 также будет меньше. Уменьшается и напряжение насыщения, и напряжение пробоя.

Отличие выходных характеристик разных типов МДП - транзисторов (рис.3.б,в) заключается в расположении характеристик при Uзи =0. В МДП - транзисторе со встроенным каналом (рис.3.в) эта характеристика располагается посредине семейства. Выше ее идут характеристики, соответствующие режиму обогощения, а ниже - режиму обеднения.

Рассмотренные выше характеристики МДП - транзисторов справедливы для случая, когда его подложка (П) соединена с истоком. Подложку можно также использовать в качестве дополнительного электрода, напряжение на котором управляет током в проводящем канале транзистора. В этом случае подложку называют нижним затвором. Механизм управления током оказывается совершенно аналогичным механизму действия затвора, а семейство характеристик Ic=f(Uси) при Uпи =const имеет тот же вид, что и характеристик при Uзп =const.

Основными параметрами полевых транзисторов является: крупизна характеристики S, коэффициент усиления m и внутреннее сопротивление Ri. Крутизной характеристики полевого транзистора называют отношение изменения тока стока к вызвавшему его изменению напряжения на затворе при U =const:

 

S =Ic ¤¶ Uзи

 

Коэффициент усиления m полевого транзистора называют отношение изменения напряжения стока и вызвавшему его изменению напряжения на затворе при Ic =const

 

m =U /Uзи

 

Внутренним сопротивлением R 4i 0 полевого транзистора называют отношение изменения напряжения стока к соответствующему изменению тока стока при U 4зи 0=const:

 

Ri =U /Ic

 

Коэффициент усиления, кривизна характеристики и внутреннее сопротивление полевого транзистора связаны между собой соотношением:

 

m = S*Ri

 

Рабочей областью полевых транзисторов является область динамического равновесия, в которой S = 0.3 - 3 мА/В, а Ri - составляет несколько мегаом. Важнейшими особенностями полевых транзисторов является их очень высокие входное сопротивление (до 1015 Ом) и граничная частота (до 1 ГГц). С конструктивной точки зрения полевые транзисторы, особенно МДП - транзисторы, являются весьма прогрессивными активными элементами.

 

Порядок проведения работы.

 

Для проведения лабораторной работы необходимы: ГН1, ГН2, АВМ1, АВМ2, осцилограф С1-73, транзистор КП103.

1. Собирается схема согласно передней лицевой панели 7. 2. Ручки регулировки ГН1 установит в крайнее левое поло-

жение, ГН2 в крайнее левое положение. Тумблер АВМ1-АВО в положение АВМ1. Тумблер АВМ2-МВ в положение АВМ2. Предел измерения АВМ1 - 5 мА. Предел измерения АВМ2 - 1 В. Чувствительность осцилографа С1-73: 2 В/дел. Вход У - открытый (@).

После проверки правильности монтажа схемы преподавателем, включить тумблер "СЕТЬ".

3. Изменяя напряжение затвор - исток UGS в пределах 0 - +2В, замеряю ток стока ID при постоянных напряжениях на стоке: UDS1 = -5 В, UDS2 = -10 В, UDS3 = -15 В. Напряжение на стоке необходимо поддерживать постоянным независимо от тока ID. Данные заносятся в таблицу 1.

 

Таблица 1

 

UGS, B 2.0 1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.1  
IDS, мА при UDS=-5В                      
IDS, мА при UDS=-10В                      
IDS, мА при UDS=-15В                      

 

 

4. Изменяя напряжение, сток-исток UDS от 1.0 до 15.0 В при постоянных напряжениях затвор-исток UGS =1.0; 0.6; 0.2; 0В замеряют ток стока ID. Данные заносятся в таблицу 2.

 

Таблица 2

 

UDS, B                  
ID, мА при UGS=1В                  
ID, мА при UGS=0.6В                  
ID, мА при UGS=0.2В                  
ID, мА при UGS=0В                  

 

5. После проведения измерений все ручки управления привести в исходное положение, выключить стенд, осцилограф С1-73, отсоединить провода.

По таблице 1 строят переходные характеристики, по таблице 2 строят выходные характеристики полевого транзистора, включенного по схеме с общим истоком.

6. Ответить на контрольные вопросы.

 

Контрольные вопросы.

 

1. Устройство полевого транзистора.

2. Классификация и обозначение полевых транзисторов.

3. Принцип действия полевого транзистора с p-n переходом.

4. Принцип действия полевого транзистора с МДП - транзистора.

5. Характеристики полевых транзисторов.

 

Литература.

1. Жеребцов И.П. Основы электроники. –Л.:Энергоатомиздат, 1985.

2. Основы промышленной электроники/Под ред. Герасимова В.Г. – М.:Вышая школа, 1986.

3. Касаткин А.С., Немцов М.В. Электротехника. –М.: Энергоатомиздат, 1983


Дата добавления: 2015-07-08; просмотров: 137 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Лабораторная работа| Дата: _____________

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.009 сек.)